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现在各大厂商为了在芯片中容纳更多的晶体管，就将芯片内部的晶体管阵列设计得如同城市网络般复杂纷繁。因此，毫无悬念的是，晶体管尺寸被设计得越来越小，他们之间的距离也靠得越来越近。

下面来简单地介绍一下芯片的工艺流程

芯片的镀膜与刻蚀，期间包括光刻，离子注入，干刻蚀，湿刻蚀，热处理，湿洗，等等数十道非常复杂的操作，精度都在纳米级别。

先溶解光刻胶，光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致再进行蚀刻。

使用化学物质溶解暴露出来的晶圆，剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。

离子注入：在真空中，用经过加速的原子、离子照射(注入)固体材料，使被注入的区域形成特殊的注入层，改变区域的硅的导电性。

电镀：在晶圆上电镀一层硫酸铜，把铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极走向负极。电镀完成之后，铜离子沉积在晶圆表面，形成薄薄的铜层

抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。

最终在晶圆上，集成了数以千亿的晶体管，再进行切片，得到单个芯片；最后完成测试和封装。

再经过测试，切片，丢弃瑕疵内核。留下完好的准备进入下一步。

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